उत्पादों
समारोह
रैखिक सूत्र: | टा-व |
मानक: | एएसटीएम बी708 |
शुद्धता: | 99.9 प्रतिशत या 99.95 प्रतिशत से अधिक या उसके बराबर |
आकार और सहनशीलता: | सर्कुलर टैंटलम स्पटरिंग लक्ष्य: व्यास 15 मिमी-400 मिमी x मोटाई 1 मिमी-28 मिमी आयताकार टैंटलम स्पटरिंग लक्ष्य: मोटाई 1 मिमी -40 मिमी x चौड़ाई अधिकतम 1000 मिमी x लंबाई अधिकतम 3000 मिमी |
सामग्री ग्रेड: | R05255 (टा-10W), टैंटलम मिश्र धातु, 90 प्रतिशत टैंटलम, 10 प्रतिशत टंगस्टन, इलेक्ट्रॉन-वैक्यूम-आर्क पिघल की बीम भट्टी, या दोनों। R05252 (टा-2.5W), टैंटलम मिश्र धातु, 97.5 प्रतिशत टैंटलम, 2.5 प्रतिशत टंगस्टन, इलेक्ट्रॉन -बीम भट्टी या वैक्यूम-चाप पिघल, या दोनों। |
टैंटलम टंगस्टन मिश्र धातु डिस्क विवरण:
हम प्रति अनुरोध शुद्ध टैंटलम, टैंटलम टंगस्टन मिश्र धातु और टैंटलम नाइओबियम मिश्र धातु डिस्क और स्पटरिंग लक्ष्य प्रदान करते हैं।
टैंटलम टंगस्टन मिश्र धातु आमतौर पर टैंटलम 2.5 प्रतिशत टंगस्टन और टैंटलम 10 प्रतिशत टंगस्टन है। Ta7.5W जो 92.5 प्रतिशत टैंटलम है और 7.5 प्रतिशत टंगस्टन भी उपलब्ध है।
SSC के टैंटलम टंगस्टन मिश्र धातु बार, पिंड, रिबन, तार, शॉट, शीट और फ़ॉइल के रूप में भी उपलब्ध हैं। एसएससी में कस्टमाइज्ड पार्ट्स भी उपलब्ध हैं।
टैंटलम टंगस्टन मिश्र धातु डिस्क की रासायनिक संरचना
रासायनिक संरचना (प्रतिशत) | |||||||||
श्रेणी | मुख्य सामग्री | अशुद्धता (प्रतिशत से कम या उसके बराबर) | |||||||
टा | नायब/डब्ल्यू | फ़े | सि | नी | W | एमओ | ती | O | |
Ta2.5W | बाली | 2.0~3.0 | 0.005 | 0.005 | 0.002 | 3.0 | 0.01 | 0.002 | 0.015 |
Ta10W | बाली | 9~11 | 0.005 | 0.005 | 0.002 | 11 | 0.01 | 0.002 | 0.015 |
ग्राहक के अनुरोध के अनुसार अन्य विवरण। (एन, सी {{0}}.01 प्रतिशत से कम या उसके बराबर, एच 0.0015 प्रतिशत से कम या उसके बराबर) | |||||||||
टैंटलम डिस्क के लिए विशिष्टता
नाम | टैंटलम स्पटरिंग लक्ष्य |
सामग्री | R05200, R05400, R05252 (Ta-2.5W), R05255 (Ta-10W) |
पुनः-क्रिस्टलीकरण | 95 प्रतिशत मिनट |
अनाज आकार | 40μm या बेहतर |
सतह खत्म | 16आरएमएस मैक्स। या रा 0.4 (RMS64 या बेहतर) |
समतलता | {{0}}.1mm या 0.15 प्रतिशत अधिकतम |
सहनशीलता | प्लस /-0.010″ सभी आयामों पर |
टैंटलम टंगस्टन मिश्र धातु डिस्क अनुप्रयोग और संबंधित उद्योग
स्पटरिंग लक्ष्य
रासायनिक प्रसंस्करण में ताप विनिमायक और ताप तत्व
अनुसंधान और प्रयोगशाला
ऊर्जा
एयरोस्पेस
इलेक्ट्रॉन
रासायनिक
रासायनिक पहचानकर्ता
रैखिक सूत्र | टा-व |
एमडीएल नंबर | N/A |
चुनाव आयोग संख्या | N/A |
पबकेम सीआईडी | 57464935 |
आईयूपीएसी नाम | टैंटलम; टंगस्टन |
मुस्कान | [टा]। [डब्ल्यू] |
इंचआई पहचानकर्ता | InChI=1S/Ta.W |
इंची कुंजी | DZZDTRZOOBJSSG-UHFFFAOYSA-नहीं |
टैंटलम टंगस्टन मिश्र धातु गुण (सैद्धांतिक)
यौगिक सूत्र | टा-व |
उपस्थिति | विभिन्न रूपों में धात्विक ठोस (प्लेट / शीट, बार, रॉड, पट्टी, पन्नी, तार, डिस्क, स्पटरिंग लक्ष्य) |
गलनांक | 3005-3030 डिग्री |
क्वथनांक | N/A |
घनत्व | 16.7-16.9 ग्राम/सेमी3 |
H2O . में घुलनशीलता | N/A |
विधुतीय प्रतिरोधकर्ता | 0.0000176 ओम-सेमी |
तन्यता ताकत | 550 एमपीए (7.5 प्रतिशत डब्ल्यू) |
विकर्स कठोरता | 245 (7.5 प्रतिशत डब्ल्यू) |
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